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首页>电子气>混合电子气体 混合电子气体
 

1、外延(生长)混合气

        在半导体工业中,在仔细选择的衬底上选用化学气相淀积的方法,生长一层或 多层材料所用的气体叫做外延气体。常用的硅外延气 体有二氯二氢硅、四氯 化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀积,多晶硅淀积,氧化硅膜淀积,氮化硅膜 淀积,太阳能电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积等。外延生长 是一种单晶材 料淀积并生长在衬底表面上的过程。

2、化学气相淀积(CVD)混合气

        化学气相淀积(CVD)用混合气 CVD是利用挥发性化合物,通过气相化学反应沉 积某种单质或化合物的一种方法,即应用气相化学反应的一种成膜方法。依据 成膜种类,使用的化学气相淀积(CVD)气体也不相同。

3、参杂混合气

        在半导体器件和集成电路制造中,将某些杂质入半导体材料内,使材料具 有所需要的导电类型和一定的电阻率,以制造电阻、PN结、埋层等。 掺杂工艺所用的气体称为掺杂气体。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五 氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼和乙硼烷等。通常将掺杂源与运载气 体(如氩气和氮气)在源柜中混合,混合后气流连续注入扩散炉内并环绕晶片四 周,在晶片表面沉积上掺杂剂,进而与硅反应生成掺杂金属而徙动进入硅。

4、蚀刻混合气

        蚀刻就是将基片上无光刻胶掩蔽的加工表面(如金属膜、氧化硅膜等)蚀刻掉, 而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来,以便在基片表面上获得所需要的成像图形。 蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法化学蚀刻所用气体称为蚀刻气 体。蚀刻气体通常多为氟化物气体(卤化物类),例如四氟化碳、三氟化氮、三 氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。

5、零级空气

        零级空气是一种常见的气体混合物,它的主要成分由氧和氮组成。零级空气中 一般要求总烃含量小于2X10-6、水分含量小于5X10-6.12。零级空气可采用不同 的方法脱除干燥空气中的二氧化碳和其他痕量杂质(如烃类、水分、氮氧化合物 等)获得。 零级空气也可采用高纯氮和高纯氧按规定的比例O2/N2:20/80配制而 成。零级空气主要用作气敏色谱仪载气或氢火焰离子化色谱仪的助燃气;用于 配制标准 混合气;也可用来校准分析仪器的零点,其中所含的待测成分和对测 定有影响的干扰物质的总量应低于仪器指示满刻度的0.1%以下。  

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